作为国内首台实现REBCO超导带材稳定生长的自主化MOCVD设备，第一代产品以“打破国外垄断、验证国产化技术路线”为核心目标，承担起“从理论到实践”的关键使命如同半导体行业的实验室级外延装备，为后续规模化设备研发积累了宝贵的工程数据与工艺经验。
核心技术参数
精密环境控制
高真空腔体设计，漏率≤5x10-1°Pa·m/s，构建无氧纯净的薄膜生长环境，杜绝杂质污染
精准温控体系
“接触加热电极+热电偶+红外”复合测温装置，实现800-950°C生长温度的精准调控，波动≤±3°C
稳定工艺保障
定制化匀气系统消除气流死角，形成均匀层流场；自动反馈控制系统一体化调控结晶度、厚度及界面质量，确保工艺重复性
开放适配设计
参数调节范围广，支持多种REBCO体系带材研发，为科研机构、高校提供灵活的试验平台
迈斯纳材料自主设计并搭建的第一代REBCO超导MOCVD设备实现了米级YBCO带材稳定生长，工程电流密度(Jc)最高400A/cm(@77K，自场)打破了PLD技术t路线中准分子激光器“卡脖子”现状，实现我国超导MOCVD设备“零的突破”，为迈斯纳的国产化技术路线的可行性提供了核心支撑